Фотоелектричний датчик Sick WTB9-3P2411P10

• Артикул: 1116355
• Тип пристрою: Фотоелектричні датчики
• Принцип датчика/ виявлення: Датчик з відображенням від об'єкта, Придушення заднього фону
• Розміри (Ш x В x Г): 12,2 мм x 52,2 мм x 23,6 mm
• Форма корпусу (вихід світла): Прямокутний
• Схема розташування отворів: M3< /li>
• Дистанція роботи, макс.: 20 mm ... 800 mm
• Відстань спрацьовування: 20 mm ... 400 mm
• Вигляд випромінювання: Інфрачервоне світло
• ДЖЕРЕЛО ВИМИКАННЯ: Світлодіод
• Розміри світлової плями (відстань): Ø 40 mm (400 mm)
• Довжина хвилі: 850 nm
• Налаштування : Потенціометр, 5 оборотів
• Особливі властивості: Попередньо змонтований на BEF-KHS-ISG6, 2075080
• Напруга живлення: 10 V DC ... 30 V DC
• Залишкова пульсація: < 5 V_ss
• Споживання струму: 30 mA
• Перемикаючий вихід: PNP
• Функція вихідного сигналу: Комплементарний
• Тип перемикання: СВІТЛО/ТЕМНО
• Вихідний струм I_{м акс.}: ≤ 100 mA
• Оцінка: < 2,5 ms
• Частота перемикання: 200 Hz
• Вигляд підключення: Роз'єм M12, 4 -конт.
• Схеми захисту: A , B , C ,
• Клас захисту: III
• Вага: 13 g
• Спеціальний продукт : ✔
• Матеріал корпусу: Пластик, VISTAL®
• Матеріал, оптика: Пластик, PMMA
• Тип захисту: IP66, IP67, IP69K,
• Комплект поставки: Кріпильна система BEF-KHS-ISG6 (попередньо встановлена)
• Діапазон температур під час роботи: –40 °C ... +60 °C
• Діапазон температур при зберігання: –40 °C ... +75 °C
• № файлу UL: NRKH.E181493

• Тип виходу: PNP
• Вид випромінювання: інфрачервоне світло
• Серія: W9